上海中芯国际集成电路制造有限公司和日本东芝公司周四联合表示，双方已签定技术授权和代工协议,东芝将把0.15微米低功率的静态存储器(SRAM)制成技术转让给中芯国际。
　　
　　据中芯国际新闻稿称，根据协议，东芝可从中芯国际获得产能的支持，而中芯国际则得以采用其先进的SRAM制程为其客户提供优质服务。
　　
　　新闻稿指出，自2001年12月，双方签订0.21微米制程技术转让协议以来，东芝和中芯国际已确认了合作伙伴关系。此次签订的新协议，既让中芯国际获得了新一代低功率SRAM的代工能力，又帮助东芝通过代工确保了其对SRAM产能的需求。
　　
　　SRAM芯片主要应用于手机，而手机的需求量正稳步上升，尤其在中国市场。海外咨询公司预计，从2000年到2005年，中国手机市场的年增长率为25.8%。
　　
　　中芯国际本周宣布，与日本Elpida已签署五年的芯片代工协议，后者将把0.13微米的堆迭式动态随机存取记忆体(DRAM)交给中芯上海八寸厂生产。而去年年底中芯与德国英飞凌(Infineon)签订代工协议之后，后者已将0.14微米的DRAM沟道式技术转移给中芯，并考虑今后转移0.11微米的技术。
　　
　　中芯国际是中国第一家0.25微米以下制程的芯片代工厂，在2002年年底其月产量已达3万片。

(责任编辑 小月 ning@mei.ceic.gov.cn)